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半導體單晶硅材料在受到外力作用，產生肉眼根本察覺不到的極微小應變時，其原子結構內部的電子能級狀態(tài)發(fā)生變化，從而導致其電阻率劇烈的變化，由其材料制成的電阻也就出現(xiàn)極大變化，這種物理效應叫壓阻效應。人類是在本世紀五十年代才開始發(fā)現(xiàn)和研究這一效應的應用價值的。
利用壓阻效應原理，采用三維集成電路工藝技術及一些專用特殊工藝，在單晶硅片上的特定晶向，制成應變電阻構成的惠斯登檢測電橋，并同時利用硅的彈性力學特性，在同一硅片上進行特殊的機械加工，集應力敏感與力電轉換檢測于一體的這種力學量傳感器，稱為固態(tài)壓阻傳感器。
以氣、液體壓強為檢測對象的則稱為固態(tài)壓阻壓力傳感器，它誕生于六十年代末期。顯然，它較之傳統(tǒng)的膜合電位計式，力平衡式，變電感式，變電容式，金屬應變片式及半導體應變片式傳感器技術上先進得多，目前仍是壓力測量領域最新一代傳感器。由于各自的特點及局限性，它雖然不能全面取代上述各種力學量傳感器，但是，從八十年代中期以后，在美，日，歐傳感器市場上，它已是壓力傳感器中執(zhí)牛耳的品種，并與壓電式幾乎平分了加速度傳感器的國際市場。目前，在以大規(guī)模集成電路技術和計算機軟件技術介入為特色的智能傳感器技術中，由于它能做成單片式多功能復合敏感元件來構成智能傳感器的基礎，因此，它仍然最受矚目。
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