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壓力傳感器有很多參數(shù)指標(biāo)，其中有一項(xiàng)是過(guò)載保護(hù)，過(guò)載就是負(fù)荷過(guò)大，超過(guò)了設(shè)備本身的額定負(fù)載，產(chǎn)生的現(xiàn)象是電流過(guò)大，用電設(shè)備發(fā)熱，線(xiàn)路長(zhǎng)期過(guò)載會(huì)降低線(xiàn)路絕緣水平，甚至燒毀傳感器設(shè)備或線(xiàn)路。而過(guò)載保護(hù)，就是即使負(fù)荷超過(guò)了額定負(fù)載也不會(huì)出現(xiàn)燒壞線(xiàn)路的情況，但是也有一個(gè)度，一般是150%的范圍內(nèi)，而且不能持續(xù)過(guò)載工作。
由于壓力傳感器有很多形式，每種結(jié)構(gòu)形式的過(guò)載保護(hù)設(shè)計(jì)方法也是各不相同的，并且眾多方法都有各自的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)：
MEMS 技術(shù)的小量程、高靈敏壓力傳感器：
優(yōu)點(diǎn)：通常有平膜、島膜、梁膜等結(jié)構(gòu)，在設(shè)計(jì)過(guò)載保護(hù)時(shí)，一般采用凸臺(tái)等方法實(shí)現(xiàn)，形成方法有背部刻蝕技術(shù)、硅直接鍵合技術(shù)、玻璃刻蝕技術(shù)等。
缺點(diǎn)：然而壓力傳感器的這些結(jié)構(gòu)一般都有一個(gè)很大的局限性就是腔體尺寸較大，進(jìn)一步提高靈敏度受到限制，而且降低了硅片利用率，增加了制造工藝的復(fù)雜度，提高了生產(chǎn)成本。
但過(guò)載保護(hù)并不是只有壓力傳感器需要用到，是每種傳感器都要考慮的，如溫度傳感器、位移傳感器等，因?yàn)樵谑褂眠^(guò)程中可能會(huì)出現(xiàn)測(cè)量值大于量程的情況，只有設(shè)計(jì)了過(guò)載保護(hù)的傳感器才能更好的使用，也才能使用得更久。
具體每種傳感器的過(guò)載保護(hù)是如何設(shè)計(jì)的，過(guò)載范圍是多少都是不同的，所以不管是買(mǎi)哪種傳感器一定要了解它的過(guò)載保護(hù)是多少，這樣才能更好的方便使用，在未來(lái)使用過(guò)程中也不會(huì)出現(xiàn)由于過(guò)載燒壞電路的情況。
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