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1.在檢漏工序中，就是在酒精加壓的環(huán)境下，晶體容易產(chǎn)生碰殼現(xiàn)象，即振動(dòng)時(shí)芯片跟外殼容易相碰，從而晶體容易發(fā)生時(shí)振時(shí)不振或停振；
2.在壓封時(shí)，晶體內(nèi)部要求抽真空充氮?dú)�，如�?A >發(fā)生壓封不良，即晶體的密封性不好時(shí)，在酒精加壓的條件下，其表現(xiàn)為漏氣，稱之為雙漏，也會(huì)導(dǎo)致停振；
3.由于芯片本身的厚度很薄，當(dāng)激勵(lì)功率過大時(shí)，會(huì)使內(nèi)部石英芯片破損，導(dǎo)致停振；
4 .有功負(fù)載會(huì)降低Q值（即品質(zhì)因素），從而使晶體的穩(wěn)定性下降，容易受周邊有源組件影響，處于不穩(wěn)定狀態(tài)，出現(xiàn)時(shí)振時(shí)不振現(xiàn)象；
5.由于晶體在剪腳和焊錫的時(shí)候容易產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力，而焊錫溫度過高和作用時(shí)間太長(zhǎng)都會(huì)影響到晶體，容易導(dǎo)致晶體處于臨界狀態(tài)，以至出現(xiàn)時(shí)振時(shí)不振現(xiàn)象，甚至停振；
6.在焊錫時(shí)，當(dāng)錫絲透過線路板上小孔滲過，導(dǎo)致引腳跟外殼連接在一塊，或是晶體在制造過程中，基座上引腳的錫點(diǎn)和外殼相連接發(fā)生單漏，都會(huì)造成短路，從而引起停振；
7.當(dāng)晶體頻率發(fā)生頻率漂移，且超出晶體頻率偏差范圍過多時(shí)，以至于捕捉不到晶體的中心頻率，從而導(dǎo)致芯片不起振。
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