正電子壽命測量法用于半導(dǎo)體材料中空位型缺陷的測量。這是一種帶有測量裝置和電源的全壽命正電子壽命測量系統(tǒng)。在壽命（時間）測量系統(tǒng)中，時間是用3GS/s采集卡來測量的，進來信號是由兩BaF2的閃爍體產(chǎn)生的高速脈沖信號。在符合多普勒展寬的情況下，用兩個鍺半導(dǎo)體探測器符合的波高值制成二維直方圖。此外，這些設(shè)備可以用來測AMOC，這個壽命和動量相關(guān)。
Feature
●功能： Lifetime、CDB和AMOC
●ADC： 時間：2CH 3GSPS 8bit
CDB ：2CH 100MSPS 14bit
●時間分辨： FWHM（半高寬） 192ps （511keV@22Na, BaF2 閃爍體） FWHM（半高寬） 160 – 190 ps (Silica)
●能量分辨： 1.23keV（512keV@106Ru） 1.69keV(1.33MeV@60Co)
●PMT高壓 ： 2CH, -4000V 對于Ge(鍺)半導(dǎo)體： 2CH, +5000V ※包括前放
●接口： Ethernet （TCP/IP）
●附件包括應(yīng)用指導(dǎo)手冊
1、組成部分
（1） 時間譜分析模塊
它是用于時間譜分析，每個通道采用高速3 GHz ADC。
輸入信號是BaF閃爍檢測器的。
DSP內(nèi)置的時差分析功能。
（2）DSP多通道分析儀模塊
它是一個多通道分析儀，配備了用于伽馬射線光譜的數(shù)字信號處理（DSP）功能。直接輸入來自Ge半導(dǎo)體檢測器的前置放大器的輸出信號。
采樣率100 MSPS，ADC增益最大為8192。
（3）前置放大器電源模塊
前置放大器電源用于Ge半導(dǎo)體探測器。
通過D-sub 9針連接器供應(yīng)±24 V（50 mA）和±12 V（50 mA）供電。
連接器的引腳排列符合NIM標(biāo)準(zhǔn)。
（4）高壓電源模塊
它是兩個BaF 2閃爍探測器和兩個Ge半導(dǎo)體探測器的高壓電源。
CH1和CH2用于Ge半導(dǎo)體探測器，額定功率高達(dá)+5000V（或-5000V）。
CH3和CH4用于BaF2閃爍檢測器，最大額定值為-4000V。
兩者都使用SHV連接器。
（5）VME電源機箱
它是VME標(biāo)準(zhǔn)的7插槽電源機架。
AC 100 V，最大300 W.
為每個模塊供電。
除上述內(nèi)容外，還需要以下東西。
·BaF2閃爍檢測器
·Ge半導(dǎo)體探測器
·PC（應(yīng)用程序執(zhí)行）
·交換集線器（PC和每個模塊用于LAN電纜連接）
2、測量模式（有5種測量模式）
（1）時間壽命模式
壽命（LT）模式是同時測量兩個BaF 2閃爍檢測器的模式，采用兩個波形的上升之間的時間差，并進行正電子壽命測量。
（2）波形模式
波形模式測量來自兩個BaF 2閃爍探測器的波形。
（3）能量模式
能量模式是用于測量來自兩個Ge半導(dǎo)體探測器的能譜的模式。
（4）CDB（雙探頭符合多普勒擴展譜）模式
CDB模式是一種采用兩個Ge半導(dǎo)體檢測器的重合計數(shù)的方式，通過每個峰值計算正電子湮滅符合計數(shù)多普勒擴展。
（5）AMOC(正電子壽命-動量關(guān)聯(lián)譜）模式
AMOC模式是通過采用兩個BaF 2閃爍檢測器和一個Ge半導(dǎo)體檢測器的重合計數(shù)來測量正電子壽命 - 動量相關(guān)性的模式。
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