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   自去年7月以來，三菱電機發(fā)布了一系列碳化硅（SiC）功率模塊，這些產(chǎn)品將于今年6月18日至20日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2013（展位號：402）中隆重亮相。

   眾所周知，目前市場上采用的功率模塊的IGBT芯片大多采用硅材料制造，但是業(yè)界對硅（Si）材料的性能利用已接近極限。與Si相比，SiC的禁帶寬度是Si的3倍，臨界擊穿電場強度是Si的10倍，電子飽和速率是Si的2倍。

   與傳統(tǒng)的Si功率器件相比，SiC功率器件具有關(guān)斷拖尾電流極小、開關(guān)速度快、損耗低、耐高溫的特性。采用SiC功率器件開發(fā)電力電子變流器，能提高功率密度，縮小裝置體積；提升變流器效率；提高開關(guān)頻率，縮小濾波器體積；確保高溫環(huán)境下運行的可靠性；還易于實現(xiàn)高電壓大功率的設(shè)計。SiC功率器件可廣泛用于節(jié)能、高頻和高溫三大電力電子系統(tǒng)。

   三菱電機迄今為止發(fā)布的SiC功率模塊，包括用于變頻空調(diào)的600V/15A混合SiCDIPIPMTM、600V/20A混合SiCDIPPFCTM、600V/20A全SiCDIPPFCTM，用于工業(yè)設(shè)備的1200V/75A混合SiC-IPM、1200V/800A全SiC模塊、600V/200A混合SiC-IPM，以及用于鐵路牽引的1700V/1200A混合SiC-HVIGBT。

   *混合SiC模塊：主開關(guān)采用Si-IGBT，續(xù)流二極管采用SiC-SBD

   *全SiC模塊：主開關(guān)采用SiC-MOSFET，續(xù)流二極管采用SiC-SBD

   *DIPIPMTM：三菱電機注冊商標，雙列直插式智能功率模塊

   *DIPPFCTM：三菱電機注冊商標，雙列直插式功率因數(shù)校正模塊

   本次展會，除了展示以上SiC功率模塊，三菱電機還將同步展出多個系列的新型功率模塊，包括最新的工業(yè)用DIPIPMTM、家電用第6代DIPIPMTM、變頻冰箱用MOS-DIPIPMTM、新一代IPM、第6.1代IGBT模塊、第6代T型三電平IGBT模塊、第6代新型MPD模塊、R系列HVIGBT，J系列汽車用EVT-PM模塊和EV-IPM。

   為了方便客戶采用新型功率模塊開發(fā)變流器產(chǎn)品，三菱電機還將展示多種變流器整體解決方案，包括基于第5代DIPIPMTM的變頻空調(diào)驅(qū)動器、基于MOS-DIPIPMTM的變頻冰箱驅(qū)動器、基于工業(yè)DIPIPMTM的伺服驅(qū)動器、風電變流器功率組件MPDStacK和100kWT型三電平并網(wǎng)逆變器等。

   作為全球首家掌握功率半導體硅片技術(shù)和封裝技術(shù)的公司，三菱電機將積極致力于基于新材料的開發(fā)和應用，努力為電力電子業(yè)界奉獻高性能和高可靠性的功率半導體模塊。

  三菱電機機電（上海）有限公司簡介

   三菱電機創(chuàng)立于1921年，是全球知名的綜合性企業(yè)集團。在最新的《財富》500強排名中，名列第214。

   作為一家技術(shù)主導型的企業(yè)，三菱電機擁有多項領(lǐng)先技術(shù)，并憑強大的技術(shù)實力和良好的企業(yè)信譽在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動化、電子元器件、家電等市場占據(jù)著重要的地位。

   三菱電機機電（上海）有限公司把弘揚國人智慧，開創(chuàng)機電新紀元視為責無旁貸的義務與使命。憑借優(yōu)越的技術(shù)與創(chuàng)造力貢獻產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以促進社會繁榮。

   三菱電機半導體產(chǎn)品包括三菱功率模塊（IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、MOSFET等）、三菱微波/射頻和高頻光器件、光模塊等產(chǎn)品，其中三菱功率模塊在電機控制、電源和白色家電的應用中有助于您實現(xiàn)變頻、節(jié)能和環(huán)保的需求；而三菱系列光器件和光模塊產(chǎn)品將為您在各種模擬/數(shù)字通訊、有線/無線通訊等應用中提供解決方案。